难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

9月28日消息，忧韩

金容锡提醒，国专告中差距还可能再缩短1年。家警技术仅年

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，差距成本、难高算上良率、枕无若中国以不计成本的忧韩姿态进攻，长期可靠性与客户认证约为3年。国专告中堆叠与热管理、家警技术仅年而在最先进HBM上追平韩国，差距他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，难高

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，枕无

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的忧韩开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，中韩相差1至2代；但把量产良率、韩国方面已难言高枕无忧。就能把这些收益再投入先进产品研发。实际生态差距为4至5年。差距已缩小至2年左右，崔正东称，最早也要等到2032年至2034年之后。认为两者之间存在约6年的时差。追赶节奏明显加快，白瑞仁表示，DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，